據(jù)南方財(cái)富網(wǎng)概念查詢工具數(shù)據(jù)顯示，碳化硅龍頭股如下：

晶盛機(jī)電：碳化硅龍頭。

8月29日，晶盛機(jī)電開(kāi)盤(pán)報(bào)30.57元，截至15時(shí)收盤(pán)，該股跌1.66%，報(bào)價(jià)為30.170元，當(dāng)日最高價(jià)為30.65元。換手率1.6%，市盈率為15.71，7日內(nèi)股價(jià)上漲1.52%。

晶盛機(jī)電2025年第二季度營(yíng)收26.61億，凈利潤(rùn)3818.63萬(wàn)，每股收益0.05，市盈率15.58。

國(guó)內(nèi)晶體硅生長(zhǎng)設(shè)備龍頭，應(yīng)用橫跨半導(dǎo)體光伏兩大產(chǎn)業(yè)，國(guó)內(nèi)高端市場(chǎng)占有率第一。技術(shù)領(lǐng)先，實(shí)現(xiàn)大硅片多項(xiàng)技術(shù)突破。同時(shí)向切片、拋光、外延等設(shè)備拓展，目前已經(jīng)完成技術(shù)認(rèn)證。甚至還出了第三代碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備，已交付客戶使用。

宇環(huán)數(shù)控：碳化硅龍頭。

8月29日消息，宇環(huán)數(shù)控截至15時(shí)，該股跌1.62%，報(bào)22.450元；5日內(nèi)股價(jià)上漲0.18%，市值為34.98億元。

2025年第一季度，宇環(huán)數(shù)控營(yíng)收1.25億，凈利潤(rùn)61.68萬(wàn)，每股收益0.02，市盈率267。

天岳先進(jìn)：碳化硅龍頭。

8月29日收盤(pán)消息，天岳先進(jìn)（688234）跌2.73%，報(bào)64.500元，成交額6.91億元。

2025年第一季度，天岳先進(jìn)營(yíng)收4.08億，凈利潤(rùn)359.58萬(wàn)，每股收益0.02，市盈率141.31。

三安光電：碳化硅龍頭。

根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，三安光電股票在8月29日15點(diǎn)跌1.37%，報(bào)價(jià)為15.130元。當(dāng)日成交額達(dá)到23.59億元，換手率3.12%，總市值為754.84億元。

三安光電2025年第一季度營(yíng)收43.12億，凈利潤(rùn)7469萬(wàn)，每股收益0.04，市盈率248.8。

東尼電子：碳化硅龍頭。

8月29日，東尼電子(603595)收盤(pán)報(bào)23.350元，當(dāng)日最低達(dá)20.77元，成交額5.81億元，5日內(nèi)股價(jià)上漲14.35%。

2025年第一季度季報(bào)顯示，公司營(yíng)業(yè)總收入4.28億元，同比增長(zhǎng)4.64%；凈利潤(rùn)549.26萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)-15.4%；基本每股收益0.05元。

碳化硅概念股其他的還有：

海特高新：北京時(shí)間8月29日，海特高新開(kāi)盤(pán)報(bào)價(jià)12.6元，跌0.63%，最新價(jià)12.540元。當(dāng)日最高價(jià)為12.75元，最低達(dá)12.43元，成交量4113.43萬(wàn)，總市值為92.9億元。2020年12月28日回復(fù)稱(chēng)公司目前已完成包括砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等在內(nèi)的6大類(lèi)工藝產(chǎn)品的研發(fā)，提供四類(lèi)集成電路制程技術(shù)包括GaAs工藝的PHEMT、GaN工藝的PHEMT、HBT、無(wú)源集成等產(chǎn)品，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于5G移動(dòng)通信、AI人工智能、雷達(dá)、光纖通訊等領(lǐng)域。

蘇州固锝：8月29日15時(shí)收盤(pán)截止，蘇州固锝(股票代碼:002079)的股價(jià)報(bào)10.520元，較上一個(gè)交易日跌1.31%。當(dāng)日換手率為2.48%，成交量達(dá)到2011.14萬(wàn)手，成交額總計(jì)為2.12億元。2021年6月17日回復(fù)稱(chēng)公司SiC目前處于小批量試產(chǎn)階段。

利歐股份：8月29日收盤(pán)消息，利歐股份最新報(bào)5.260元，成交量10億手，總市值為356.2億元。公司聯(lián)合境外專(zhuān)業(yè)人士成立合資公司，公司持股20%，合作項(xiàng)目產(chǎn)品包括DISCRETE、IPM、PIM等封裝的工業(yè)級(jí)、車(chē)規(guī)級(jí)IGBT及使用碳化硅及氮化鎵材料的IGBT。

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